「すべてのサービスにCopilotの導入」…サムスンSDS、生成型AIを本格的に発売 | 亜洲日報
“今後、サムスンSDSのすべてのサービスとソリューションで、Copilotを提供する。" サムスンSDSのファン·ソンウ代表は2日に開かれた「メディアデー」で、このように明らかにした。 サムスンSDSはこの日、生成型人工知能(AI)サービスである「FabriX」と「Brity Copilot」の公式発売を知らせた。 ファン代表は“FabriXとBrity Copilotの正式発売で、企業業務のハイパーオートメーション(Hyper-automation・超自動化)を支援する”と述べた。 続けて“サムスンスマートフォン・TV・家電分野で消費者を満足させたAI革新に続き、企業でも生成型AIサービス革新が始まった”と強調した。 サムスンSDSはFabriX・Brity Copilot・ロボットプロセス自動化(RPA)等、自動化ソリューションに生成型AI機能を加えた「Brity Automation
Samsung、転送速度10.7GbpsのAIアプリケーション向けLPDDR5X DRAM発表 - エルミタージュ秋葉原
Samsung、転送速度10.7GbpsのAIアプリケーション向けLPDDR5X DRAM発表 2024.04.17 18:49 更新 2024.04.17 配信 2024年下半期に量産開始予定 Samsung Electronics Co., Ltd,（本社：韓国）は2024年4月17日、転送速度10.7GbpsのLPDDR5X DRAMの開発に成功したことを発表した。 前世代のLPDDR5X DRAMに比べてパフォーマンスは25％以上、容量は32％以上向上しており、単一パッケージで最大32GBの大容量を実現可能。モバイルデバイスやモバイルノートPCなどでAI処理を行うオンデバイスAI用途に最適としている。 またワークロードに応じて電力を調整する電力変動機構や拡張低電力モードにより、ノートPCのバッテリ駆動時間を伸ばす効果も期待できる。なお今後は実際のモバイルデバイスやモバイルアプリケー
Samsung, Juniper Networks and Wind River Collaborate To Drive Greater vRAN and Open RAN Efficiencies
転送速度1280GB/sで容量36GBの超高速メモリ「HBM3E 12H」をSamsungが発表、AIの学習の高速化と推論の並列実行数増加が可能
Samsungが容量36GBで最大1280GB/sでのデータ転送が可能な積層メモリ「HBM3E 12H」を2024年2月27日(火)に発表しました。 Samsung Develops Industry-First 36GB HBM3E 12H DRAM – Samsung Global Newsroom https://news.samsung.com/global/samsung-develops-industry-first-36gb-hbm3e-12h-dram HBMは超高速なデータ転送が可能な積層メモリで、AIの研究開発などの大量のデータを高速に転送する必要がある分野で活用されています。例えばNVIDIAが開発した生成AI向けスーパーコンピューター「DGX GH200」にはHBM3が採用されているほか、AMDの機械学習特化チップ「Instinct MI300X」もメモリとしてHB
[Memory Tech Day 2023] AI時代のためのニアメモリソリューション | サムスン半導体日本
「メモリウォール」とは、メモリ容量が不足すると帯域幅が制限され、データ転送遅延時間が伸び、システム作業量と電力消費が増加して総所有コスト、すなわちTCOが増加することである。 サムスンは、この問題に対する解決策として「ニアメモリソリューション」を提示した。この価値提案はメモリ容量イノベーションの土台となっている。AIアプリケーションでは、GPT（Generative Pre-Trained Transformer）の大規模言語モデル処理によって動かされるディープラーニングアルゴリズムの採用が増えている。データが指数関数的に増加するにつれてメモリの伝統的な役割はデータ記憶からインメモリ処理に拡大されており、今ではCPUとGPUの処理作業の一部を軽減する役割を果たしている。簡単に言うと、今やメモリソリューションがデータ処理ワークロードをCPUやGPUと共有する時代になっている。 2023年10
![[Memory Tech Day 2023] AI時代のためのニアメモリソリューション | サムスン半導体日本](https://cdn-ak-scissors.b.st-hatena.com/image/square/8aceec64ad4e97ace6b16f2a11816be6c88d654b/height=288;version=1;width=512/https%3A%2F%2Fcdn.samsung.com%2Fetc%2Fdesigns%2Fsmg%2Fglobal%2Fimgs%2Flogo-square-letter.png)
2024年に提供開始となるSF3プロセスの詳細 サムスン 半導体ロードマップ (1/3)
前回に引き続き、2023 Symposium on VLSI Technology and Circuitの内容をお伝えする。 Samsungはロジック回路周りだけでもSF3プロセスの詳細(*1)とSF4Xプロセスの詳細(*2)や、BS-PDNの実装(*3)、そのBS-PDNに利用されるViaに関する分析(*4)と4件もの発表を行なっている。今回はそのうち、冒頭のSF3プロセスの詳細について説明しよう。 (*1) T1-2:World's First GAA 3nm Foundry Platform Technology (SF3) with Novel Multi-Bridge-Channel-FET (MBCFET) Process (*2) T16-3:Highly Reliable/Manufacturable 4nm FinFET Platform Technology (SF4
サムスン、独自の生成AIモデル「Samsung Gauss」を発表
印刷する メールで送る テキスト HTML 電子書籍 PDF ダウンロード テキスト 電子書籍 PDF クリップした記事をMyページから読むことができます サムスンは韓国の京畿道で開催していた「Samsung AI Forum 2023」で現地時間11月8日、新たな生成型の人工知能（AI）モデル「Samsung Gauss」を発表した。Gaussは「ChatGPT」をはじめとするAIツールに対抗するものであり、今後のテクノロジー製品においてAIが大きな役割を果たすことを示唆する象徴の1つともなっている。Gaussは現時点において社内で利用されているだけだが、同社はこのテクノロジーを将来の製品に搭載していくと述べている。 Gaussは「Gauss Language」と「Gauss Code」「Gauss Image」という3つの要素で構成されている。同社のプレスリリースによると、Gauss
Samsung、12nm級プロセスにおける業界最大容量の「32Gb DDR5 DRAM」を開発 - エルミタージュ秋葉原
Samsung、12nm級プロセスにおける業界最大容量の「32Gb DDR5 DRAM」を開発 2023.09.04 14:20 更新 2023.09.01 配信 16Gbと同パッケージで2倍の容量を提供可。過去40年でDRAM容量は50万倍に Samsung Electronics Co., Ltd,（本社：韓国）は2023年9月1日（現地時間）、12nmクラスのプロセス技術を採用した32GbのDRAMチップ「32Gb DDR5 DRAM」の開発を発表した。2023年末までに量産が開始される予定。 12nmクラスのプロセス技術を使用したDRAMとしては、世界で初めて単一チップ32Gbを実現したDRAM。今年5月に量産が開始された16Gb DDR5 DRAMに比べ、同じパッケージサイズで2倍の容量を提供できる。同社によると「1TBのDRAMモジュール製造へ道を開く技術」という。 ちなみに1
サムスン電子、最適なバーチャルシステム実現のためVMware社と技術協力へ | サムスン半導体日本
サムスン電子半導体日本は、クラウドソフトウェア分野のグローバルリーディングカンパニーであるVMware社との協業を明らかにしました。サムスン電子は、メモリ業界で初めてPCIe Gen5 NVMe SSD製品（PM1743）がVMwareソリューションと共に最適のパフォーマンスを実現することが認められており、これに基づき、ITシステムの顧客に、より向上された価値を提供していく予定です。半導体ニュースルームが詳細をお届けします。 世界最大級のITイベント「VMware Explore」で新しいストレージ技術を披露 8月21日、米ラスベガスで世界規模のITイベントである「VMware Explore 2023」が開催されました。8月24日まで開かれる同イベントでVMware社は自社のSDS（Software Defined Storage）ソリューションであるvSANを公開しました。サムスン電子
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く
Samsung SDS Unveils Generative AI Services “FabriX” and “Brity Copilot” to Drive Hyperautomation in Corporate Business | Samsung SDS
Samsung Electronics Begins Industry’s First Mass Production of 9th-Gen V-NAND
Samsung、ビット密度が約50％増加した「第9世代V-NANDフラッシュ」量産開始 - エルミタージュ秋葉原
Samsung Develops Industry’s Fastest 10.7Gbps LPDDR5X DRAM, Optimized for AI Applications
Samsung Develops Industry-First 36GB HBM3E 12H DRAM
Samsung Electronics and Red Hat Partnership To Lead Expansion of CXL Memory Ecosystem With Key Milestone | Samsung Semiconductor Global
【福田昭のセミコン業界最前線】 2030年に1,000層の「超高層セル」を実現するSamsungの3D NAND技術
Samsung AI Forum 2023 Day 2: Discussing Technological Trends and the Future of Generative AI
The Next New Normal in Computing: On-Device Confidential Computing
Samsung Electronics Unveils Industry’s Highest-Capacity 12nm-Class 32Gb DDR5 DRAM, Ideal for the AI Era
Samsung Announces Innovations To Enhance Memory Customer Experience in Data-Centric Era at FMS 2023 | Samsung Semiconductor Global