![TSMC、3nmプロセスのリスク生産を2021年内にも開始](https://cdn-ak-scissors.b.st-hatena.com/image/square/79753a21991da153f1cd814f5270ddb714edcdd4/height=288;version=1;width=512/https%3A%2F%2Fpc.watch.impress.co.jp%2Fimg%2Fpcw%2Flist%2F1300%2F715%2F01.jpg)
微細化追求 見極め重要 半導体回路の微細化で欠かせない「極端紫外線(EUV)露光」の周辺工程で、日本の装置メーカーの存在感が増している。最も重要な露光装置は蘭ASMLが市場を独占するものの、検査や感光剤の塗布・現像など周辺装置分野では日本勢が高いシェアを持つ。ただ先端のEUV関連装置は高額で、半導体メーカーにとって投資負担が大きい。長期的には、どこまでEUVの導入拡大が続くのか不透明な面もある。(張谷京子) EUV対応の検査装置を手がけるレーザーテックは、7―9月期の半導体関連装置の受注高が前年同期比2・6倍に増加。需要増に応じ、現在は生産を委託する取引先企業を複数社増やしている。 特に需要が高まっているのが、光源にEUVを使ったEUV露光用フォトマスク(半導体回路の原版)の欠陥検査装置で、同社が100%のシェアを持つ。従来EUV露光用マスクの検査では、主に光源に深紫外線(DUV)光を用い
【NQNニューヨーク=古江敦子】(コード@INTC/U、@AMD/U)21日の米株式市場で半導体のインテルが3日続落し、前週末比2.3%安の46.36ドルで通常取引を終えた。ソフトウエアのマイクロソフトがクラウドサービスのサーバーやパソコン向けに半導体を自社開発する計画と18日に伝わり、同社に半導体を供給するインテルに売りが続いた。21日は他のクラウド大手にも同様の流れが広がるとの懸念が強ま
1997年から本格的な開発が始まった最先端EUV(極端紫外線)露光装置(以下、EUV)は、20年以上の歳月を経て2018年第3四半期頃に離陸し、2019年にTSMCが孔系にEUVを適用した7nm+プロセス(以下、プロセスは省略)による量産に漕ぎつけ、ことし2020年には配線にもEUVを使う5nmによる大量生産が実現している。 筆者が2007年に初めて参加したリソグラフィの国際学会SPIEでは、EUVの開発があまりにも難しいため、図1のようなスライドを使ってその困難さを説明した発表があった。 図1:2007年2月、リソグラフィの国際学会SPIEにて 出典:EUVの画像はAnthony Yen, ASML, “EUV Lithography and Its Application to Logic and Memory Devices”, VLSI 2020, SC1.5より引用(クリックで拡
半導体ウェハ業界に大きな動きがあった。台湾のGlobal Wafers(GW)がドイツのSiltronicを買収するというニュースだ。 この買収が完了すれば、しばらく信越化学工業とSUMCOの日本企業2強の寡占市場だったシリコンウェハ市場は、この2社にGWを加えた3社で9割近くのシェアを握る寡占市場となる。 Global Wafersは東芝セラミックスから独立したコバレントマテリアルの買収によって300mmウェハビジネスに参入すると、米国の最大手であったサンエディソン社(旧MEMC)とデンマークのTopsilを取り込んで大きくシェアを伸ばした。これに加え今回の欧州最大手のSiltronicを買収することで、規模的にはSUMCOを抜いて第2位のシェアに躍り出る。現在のSUMCOも基をただせば旧財閥系の三菱マテリアルと住友金属の大型合併にコマツ電子が加わった混成チームであるので、今回のGWの買
2020年11月、DoDの一部門であるDefense Microelectronic Activity(DMEA)は、最先端およびレガシーのマイクロエレクトロニクスの製造を維持すべく、半導体調達に関してGLOBALFOUNDRIESと新たに4億米ドルの契約を結んだと発表した。 2020年11月、DoDの一部門であるDefense Microelectronic Activity(DMEA)は、最先端およびレガシーのマイクロエレクトロニクスの製造を維持すべく、半導体調達に関してGLOBALFOUNDRIESと新たに4億米ドルの契約を結んだと発表した。これにより、GLOBALFOUNDRIESとの契約金額は11億米ドル以上に達するという。 DMEAとその傘下のTrusted Access Program Officeは基本的に、米国の軍事システムで使用される最先端から末端に至るまでのチップが着
(報道発表資料) 2020年11月25日 日本電信電話株式会社 国立大学法人東海国立大学機構名古屋大学 国立大学法人北海道大学 世界で初めて半導体ソフトエラーを引き起こす中性子のエネルギー特性を測定 ~宇宙・他惑星などあらゆる環境での中性子起因ソフトエラー故障数を算出可能に~ 日本電信電話株式会社(本社:東京都千代田区、代表取締役社長:澤田 純、以下「NTT」)および国立大学法人東海国立大学機構名古屋大学(愛知県名古屋市、総長:松尾 清一、以下「名古屋大学」)、国立大学法人北海道大学(北海道札幌市、総長:寳金 清博、以下「北海道大学」)は共同で、中性子のもつエネルギーごとの半導体ソフトエラー(※1)発生率(※2)を“連続的な”データとして実測することに成功し、その全貌を世界で初めて明らかにしました。 この「ソフトエラー発生率の中性子エネルギー依存性のデータ」は、宇宙線による半導体影響の研究
中国・武漢市の半導体ファウンドリーHSMC(Hongxin Semiconductor Manufacturing Corporation)が、中国と米国の技術戦争における最新の犠牲者となるのかもしれない。 HSMCの元CEOであるShang-yi Chiang氏によると、負債に苦しんでいた同社は現在、破綻寸前の状態にあるという。HSMCは、14nm~7nmプロセスの先端ロジックウエハーを製造する目的で、2017年11月に設立された。 同氏は、米国EE Timesに宛てたLinkedInメッセージの中で、「投資家たちが資金不足に陥ったのだ。私はこのような事態にとても驚いている。もう全てが終わりだ。私は米国カリフォルニア州に帰ってきたところだ」と述べたが、詳細については明かさなかった。同氏はかつて、TSMCの研究開発部門の責任者を務めていた人物である。 South China Morning
「一般論で言えば、オランダからこれらの顧客に向けてDUV(深紫外線)露光システムを輸出する場合、アメリカ政府に許可を申請する必要はない」──。10月14日、半導体露光装置で世界最大手のASMLのロジャー・ダッセン最高財務責任者(CFO)は、2020年7~9月期決算の説明会でそう明言した。 この発言には伏線がある。10日前の10月4日、中国の半導体受託製造(ファウンドリ)最大手の中芯国際集成電路製造(SMIC)は、同社のサプライヤーの一部が半導体の製造装置や原材料を供給する際、アメリカ商務省の事前の輸出許可が必要になったと発表した。アメリカ政府が中国の半導体産業に対する輸出規制を強めるなか、オランダ企業であるASMLが中国の顧客に引き続き製品を供給できるかに注目が集まっていたのだ。 ダッセン氏はSMICの社名には言及しなかったものの、冒頭の発言がアメリカ政府の輸出規制がASMLのビジネスに与
この本の概要 「はじめての半導体ドライエッチング技術」 が出版 されてから 8年以上経過しましたが,半導体 の微細化・高集積化の進展は留まるところを知らず,次々新しい技術が出現しています。本書は,アトミックレイヤーエッチング(ALE)など新しい技術の解説や,ドライエッチング技術の今後の課題・展望についてなど,旧版に大幅に加筆訂正を行いました。 こんな方におすすめ 電子電気系のエンジニア全般,半導体関連の技術者,半導体関連の業界を目指す学生 本書のサンプル 本書の紙面イメージは次のとおりです。画像をクリックすることで拡大して確認することができます。 1 章 半導体集積回路の発展とドライエッチング技術 1.1 ドライエッチングの概要 1.2 ドライエッチングにおける評価パラメータ 1.3 LSI の高集積化にドライエッチング技術が果たす役割 2 章 ドライエッチングのメカニズム 2.1 プラズ
サムスン電子は昨年4月、2030年までにファウンドリーを含めたシステム半導体分野で1位になるという目標を出した。「ビジョン2030」を宣言するサムスン電子の李在鎔副会長。[韓経DB] サムスン電子が米クアルコムの次世代スマートフォン用アプリケーションプロセッサ(AP)チップを全量生産する。APチップは「スマートフォンの頭脳」と呼ばれる核心部品だ。 13日の業界によると、サムスン電子ファウンドリー事業部はクアルコムのAPチップで「スナップドラゴン875」(仮称)を5ナノメートル(1ナノメートル=10億分の1メートル)プロセスで受託生産する契約を取り出した。スナップドラゴン875はプレミアムスマートフォン市場を狙ったクアルコムの5G用APチップで12月に発売される予定だ。「ギャラクシーS21」(仮称)をはじめ、中国のシャオミやOPPOなどの高級モデルに搭載される見通しだ。 クアルコムの主力製品
京都大学が、SiCパワー半導体の研究で再び快挙を成し遂げた。京都大学 工学研究科 電子工学専攻の木本恒暢教授と同博士課程学生の立木馨大氏らの研究グループは2020年9月8日、新たな手法による酸化膜形成により、SiCと酸化膜(SiO2)の界面に発生する欠陥密度を低減し、試作したn型SiC-MOSFETにおいて従来比2倍の性能を実現したと発表した。 熱酸化なし、NOガス不要で酸化膜形成 京都大学が、SiCパワー半導体の研究で再び快挙を成し遂げた。京都大学 工学研究科 電子工学専攻の木本恒暢教授と同博士課程学生の立木馨大氏らの研究グループは2020年9月8日、新たな手法による酸化膜形成により、SiCと酸化膜(SiO2)の界面に発生する欠陥密度を低減し、試作したn型SiC-MOSFETにおいて従来比2倍の性能を実現したと発表した。木本氏は「20年来のブレークスルー」だと強調する。 木本氏は2020
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