ルネサス エレクトロニクスは，10月7日に東京の本社で化合物半導体事業の方針を報道機関向けに説明した。合併前，同事業は旧ＮＥＣエレクトロニクスが行っていたもので，旧ルネサス テクノロジは扱っていなかった。その意味では重複の解消は必要ない。
「GaNパワー・アンプを投入して化合物半導体市場でトップ・レベルのサプライヤになる」，ルネサスが宣言
ルネサス エレクトロニクスは，10月7日に東京の本社で化合物半導体事業の方針を報道機関向けに説明した。合併前，同事業は旧ＮＥＣエレクトロニクスが行っていたもので，旧ルネサス テクノロジは扱っていなかった。その意味では重複の解消は必要ない。
世界最高出力のミリ波W帯向け窒化ガリウムHEMT送信用増幅器の開発に成功 : 富士通
富士通株式会社（以下、富士通）と株式会社富士通研究所（以下、富士通研究所）（注1）は、今後の利用拡大が期待されるミリ波W帯（注2）の無線通信において、世界最高となる1.3ワット（以下、W）の出力を達成した、窒化ガリウム（以下、GaN）（注3） HEMT（注4）を用いた送信用増幅器を開発しました。従来のガリウム砒素を用いた増幅器と比べて、送信電力が約16倍に増加するため、通信距離を約6倍に伸長することができます。 今回開発した技術により、光ファイバーの敷設が困難な地域でも大容量の無線通信が可能になるほか、降雨などの影響でミリ波の信号が減衰する際でも通信の品質を確保できます。 本研究の一部は総務省の委託研究「電波資源拡大のための研究開発」の一環として実施したものです。なお、本技術の詳細は10月3日から10月6日まで米国モントレーで開催されている国際会議「2010 IEEE Compound S
日刊工業新聞 電子版
厚生労働省は９日、スマートフォン決済大手のＰａｙＰａｙ（ペイペイ、東京都港区、中山一郎社長）を賃金のデジタル払いができる資金移動業者に指定したと発表した。これを受け、ソフトバンクグ... マイクリップ登録する
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【CEATEC】富士通セミコン，GaNパワー・トランジスタの試作ウエハーを披露
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