◎ 単一アンプ出力のためノイズが少ない。 フォトダイオードのリーク電流のばらつきが少ないため暗電圧ノイズが少ない。
技術情報｜イメージセンサ＜CCD/CMOSイメージセンサの比較＞：シャープ
◎ 単一アンプ出力のためノイズが少ない。 フォトダイオードのリーク電流のばらつきが少ないため暗電圧ノイズが少ない。
イメージ・センサ編●スマホやタブレット端末を牽引役に拡大続くCMOSセンサ、市場争いが激化
本連載では、エレクトロニクス分野の市場・技術調査に強みを持つテクノ・システム・リサーチ（TSR）のアナリストに、スマートフォンやカメラ、センサといった、それぞれの専門分野に関するレポートを寄稿してもらう。第3回はイメージ・センサ（CMOSおよびCCD、エリア・センサのみでリニア・センサは含まない）について、同社 マーケティング・アナリストの三輪秀明氏が分析する。（日経BP半導体リサーチ） アプリケーション（搭載機器）の出荷数量をベースにした2012年のCMOSイメージ・センサ、およびCCD市場規模（whitebox（ノンブランド）のカメラ機能付き携帯電話機市場を除く）は、前年比22.5％増の26億2508万個となった。2013年は、前年比22.9％増の32億2646万個を見込んでいる。2017年の市場規模は46億個に迫る見通しである（図1）。 タイプ別にみると、CMOSイメージ・センサは、
iPhone5s搭載ソニー製撮像素子 ～stacked型(積層型:Exmor-RS)採用｜Imager マニア
前回エントリに引き続き今回もiPhone5s搭載撮像素子(CMOSイメージセンサ/imager)についてです。 その後、カナダの解析会社chipworksが、今度はセンサチップの新たな写真を公開していましたのでそちらから。 ↑iPhone5s搭載撮像素子(CMOSセンサ)の上面顕微鏡写真と思われるもの [2回] 前機種iPhone5無印同様(←2枚目の写真)、ベイヤ配列カラーフィルタの様ですね。 ただし、異なるのは画素ピッチで、前機種iPhone5は1.4umピッチ、今回のiPhone5sの方は上の写真の通り1.5umピッチ。 1画素の面積で言うと、1.5の2乗÷1.4の2乗≒1.15 で、約15%増し。 双方とも裏面照射型(BSI)センサであることもわかっていますので、もし他のデバイスプロセスを同世代の技術で作製していたとしても、無印5に対してiPhone5s搭載センサは、感度及び飽和等
iPhone 5S teardown: New Sony camera sensor inside
The iPhone 5S has a great camera. Behind every great camera is a great sensor. In this case from Sony. Brooke Crothers writes about mobile computer systems, including laptops, tablets, smartphones: how they define the computing experience and the hardware that makes them tick. He has served as an editor at large at CNET News and a contributing reporter to The New York Times' Bits and Technology se
CCDからCMOSへ～変わる携帯カメラ
高画質のカメラといえばCCD、CMOSは写りが今ひとつ──。そんな固定観念は過去のものになるのかもしれない。 au向け東芝端末「A5506T」では、CMOS初となる130万画素の東芝製CMOSイメージセンサー「Dynastron」を搭載（6月21日の記事参照）。携帯向けメガピクセルカメラの新たな方向性を示した。CMOSの弱点といわれた感度を大きく向上させ、大幅な画質向上を図っている。 東芝セミコンダクター社のイメージセンサ応用技術第二担当の金子武彦担当課長は、「（端末メーカーも）CCD、CMOSこだわらないという動きに変わってきた。それだけCMOSセンサーの画質が認知されてきた」と話す。 イメージセンサー製造元のCMOS化の流れは東芝に留まらない。「SO505i」などに130万画素CCDセンサーを供給した、CCD最大手のソニーも携帯向けではCMOSへのシフトを明確化している。 「高画質化の
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