サクサク読めて、アプリ限定の機能も多数！
「バンドギャップ6.0eV、シリコン（Si）の1.1eV、SiCの3.26eV、GaNの3.4eV などと比べて非常に大きい」「電力損失が理論上SiCやGaNの半分以下」
kazuhooku のブックマーク 2022/04/23 19:54
このブックマークにはスターがありません。 最初のスターをつけてみよう！
xtech.nikkei.com2022/04/22
NTTは2022年4月22日、窒化アルミニウム（AlN）トランジスタを開発したと発表した。AlNは、次世代パワーデバイスの材料として、NTTなど一部の研究所で基礎研究が進められている。物性上は炭化ケイ素（SiC）や窒化...
39 人がブックマーク・5 件のコメント
＼ コメントが サクサク読める アプリです ／
「バンドギャップ6.0eV、シリコン（Si）の1.1eV、SiCの3.26eV、GaNの3.4eV などと比べて非常に大きい」「電力損失が理論上SiCやGaNの半分以下」
このブックマークにはスターがありません。
最初のスターをつけてみよう！
NTTがAlNトランジスタ、SiCやGaN超えの超低損失パワーデバイスへ
NTTは2022年4月22日、窒化アルミニウム（AlN）トランジスタを開発したと発表した。AlNは、次世代パワーデバイスの材料として、NTTなど一部の研究所で基礎研究が進められている。物性上は炭化ケイ素（SiC）や窒化...
39 人がブックマーク・5 件のコメント
＼ コメントが サクサク読める アプリです ／