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消費電力0.9pW、電源電圧0.1Vのデジタル変換半導体集積回路
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消費電力0.9pW、電源電圧0.1Vのデジタル変換半導体集積回路
研究成果を実証するため、22nmの超低リーク電流CMOSプロセス技術を用いて、デジタル変換半導体集積回路... 研究成果を実証するため、22nmの超低リーク電流CMOSプロセス技術を用いて、デジタル変換半導体集積回路を試作した。トランジスタのサイズや縦積み段数を変えることで、電源電圧のしきい値が異なる複数のバッファを実現した。試作した回路は、消費電力が0.9pWで電源電圧0.1Vを達成した。従来技術に比べ、消費電力は約27分の1となり、電源電圧は44%も低減できたという。 関連記事 超伝導体にテラヘルツ波を照射、臨界電流が大きく変化 京都大学の研究グループは、超伝導体薄膜にテラヘルツ波を照射すると、臨界電流が大きく変化する現象を発見した。観測された特異な超伝導スイッチング現象は、新たな超伝導デバイス開発や性能改善にも貢献するとみられている。 カーボンナノチューブを高効率で合成することに成功、名城大学ら 名城大学、京都大学らの研究グループは2024年4月5日、白金族5元素を均一に混ぜ合わせたハイエント