キヤノン、微細ロジック/メモリ向けナノインプリント半導体製造装置を商用化

キヤノンは10月13日、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)技術を活用することで先端半導体の回路形成を可能とするナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を商用化、同日より受注を開始したことを発表した。 ナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」 (提供:キヤノン) 従来のArFやEUVといった投影露光装置はパターンが形成されたマスクを通った光をウェハ上のレジストに照射することで、回路パターンを形成しているが、NILはマスク(テンプレート)そのものに回路を凹凸で形成、それをハンコのようにレジストに押し当てることで回路パターンを形成する技術。マスクはマスターからレプリカを作成することで何度も使うことが可能なため、デバイスコストの低減を図ることが可能というメリットがある。 同社のNIL技術の源流は2014年に買収したモレキュラーインプリントが開発していたもので

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5nmプロセスで求められる14nmのパターン形成を高い歩留まりで実現。マスクの高精度化で2nmプロセスで求められる10nmのパターン形成も可能。 EUV露光装置と比べて約1/10の消費電力。スループットは1時間あたり40枚ほど