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産総研:16 kVの高電圧に耐えるSiCパワー半導体トランジスタを開発
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産総研:16 kVの高電圧に耐えるSiCパワー半導体トランジスタを開発
発表・掲載日:2013/09/25 16 kVの高電圧に耐えるSiCパワー半導体トランジスタを開発 -低炭素社会に向... 発表・掲載日:2013/09/25 16 kVの高電圧に耐えるSiCパワー半導体トランジスタを開発 -低炭素社会に向けた電力の有効利用、省エネルギー化に道筋- ポイント シリコンでは不可能な10 kV以上の耐電圧を示す炭化ケイ素新型トランジスタを開発 電力ネットワークにおけるスイッチなどの半導体化、次世代スマートグリッド構築による低炭素社会実現、省エネルギー化に貢献 内閣府最先端研究開発支援プログラム(FIRST)「低炭素社会創成へ向けた炭化ケイ素(SiC)革新パワーエレクトロニクス研究開発」の成果 独立行政法人産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)先進パワーエレクトロニクス研究センター【研究センター長 奥村 元】福田 憲司 総括研究主幹、超高耐圧デバイスチーム 米澤 喜幸 研究チーム長らのグループは、炭化ケイ素(SiC)半導体を用いて、16 kVという超高耐電圧