リチウム電池の3倍超…信州大が単層CNT活用でエネ貯蔵 ニュースイッチ by 日刊工業新聞社
信州大学の金子克美特別特任教授と公立諏訪東京理科大学の内海重宜教授らの研究グループは単層カーボンナノチューブ（ＳＷＣＮＴ）を使ったエネルギー貯蔵法を開発した。ＳＷＣＮＴとポリウレタン系材料の複合ロープをねじってエネルギーをためる。同じ重量のリチウムイオン電池（ＬｉＢ）の３倍以上のエネルギーを貯蔵できるとしている。 重量当たりのエネルギー密度と出力密度はＬｉＢと比べて約３倍、一般的な輪ゴムをねじった際の約１０００倍。またＬｉＢに対して軽量で爆発の危険が無く、マイナス６０度―プラス１００度Ｃの広い温度範囲で能力が変わらない。 電気エネルギーへの変換も容易で、人工心臓など体内デバイスのエネルギー源としての活用も期待できる。
国立大法人化による負の影響最大…鈴鹿医療科学大が可視化した「研究力低下」 ニュースイッチ by 日刊工業新聞社
鈴鹿医療科学大学の豊田長康学長は、国立大学法人化や新医師臨床研修制度などの科学技術政策による研究力低下を可視化した。経済学などで使われる自然実験という観察研究手法を用いて、政策の対象群と非対象群の大学を比較した。すると国立大学法人化による負の影響が最大となった。研究力を引き下げている可能性がある。 ２００４年の国家公務員総定員法と大学院重点化に加え、国立大法人化、新医師臨床研修制度の導入、０６年の薬学部６年制の導入の４政策の影響を検証した。この前提に０４年ごろから日本の研究論文の質と量を掛け合わせた研究力指標が低下しており、その背景には研究者の正味の研究時間と研究者数が減少していることがある。 ４政策の対象となっていない早稲田大学などの私立で医学部や薬学部のない総合大学１５校と、政策対象となった国立大学を比較した。すると００年から２１年で非対象群の私大は１・３倍ほど研究力が伸びているのに対
核融合発電「原型炉」開発着手へ、量研機構が主体に ニュースイッチ by 日刊工業新聞社
文部科学省は核融合発電の発電能力を実証する原型炉について、量子科学技術研究開発機構（ＱＳＴ）を開発主体とする方針を固めた。ＱＳＴを中心に大学や企業などが原型炉開発に関わる“オールジャパン”体制を構築し、原型炉の早期実現を目指す。将来は日本の多様なサプライチェーン（供給網）を生かして商用炉を開発できる企業を育成し、核融合発電の産業化を急ぐ。 原型炉開発は４月にも着手する。ＱＳＴを中心にしながら、原型炉設計や超電導コイルなど、開発項目ごとに大学や企業を対象に公募して参画を促す。原型炉による発電実証から産業化へ素早くつなげるため、日本の産業界の総力を結集して取り組む体制の構築を目指す。将来は企業を中心とした原型炉開発に移行し、商用炉を開発できる企業を育成することも視野に入れる。 また大学間の連携を促し、核融合発電の開発人材を育成する。ＱＳＴの日欧共同の実験炉「ＪＴ―６０ＳＡ」なども活用する方針だ
世界最大クラス体積約160㎥のプラズマ生成に成功…量研機構が「核融合実験炉」運転開始式 ニュースイッチ by 日刊工業新聞社
量子科学技術研究開発機構は那珂研究所（茨城県那珂市）に建設した核融合実験炉「ＪＴ―６０ＳＡ」の運転開始記念式典を開いた（写真）。日欧の共同プロジェクトで建設したＪＴ―６０ＳＡは１０月２３日に初プラズマの生成に成功。強力な磁場でプラズマを閉じ込める「トカマク型」として、これまでに世界最大クラスとなる体積約１６０立方メートルのプラズマを生成し、温度は１５００万度Ｃ程度まで上昇したのを確認したという。 同実験炉は将来のクリーンエネルギーとして期待される核融合発電技術開発への貢献を目指す。式には日欧の関係者に加え盛山正仁文部科学相や高市早苗内閣府特命担当相が参加。盛山文科相は「欧州などとの連携を強化し研究開発や人材育成に腰を据えて取り組む」、高市担当相は「産業界とともに核融合の実現とスピンアウト型関連産業の発展に向けて力を尽くす」とした。
“究極”のパワー半導体実現へ、筑波大がサファイアの電気伝導に室温で成功 ニュースイッチ by 日刊工業新聞社
筑波大学の奥村宏典助教らの研究グループは、絶縁体であるサファイア（酸化アルミニウム）の室温での電気伝導に成功した。サファイアはバンドギャップ（禁制帯のエネルギー幅）が大きく、高品質で安価。サファイアのパワー半導体が開発できれば、電気自動車（ＥＶ）などに搭載できる可能性がある。 奥村助教らは結晶成長の方法にプラズマを用いた「プラズマ援用分子線エピタキシー法」を採用。これを用いてシリコンを添加した５９０ナノメートル（ナノは１０億分の１）厚のα型酸化アルミニウムの薄膜に３０ボルトの電圧をかけ、１ミリアンペアを導電した。 さらに室温での膜中の抵抗値を測定したところ、半導体の性質と定義される数値（１６６オームセンチメートル）を確認した。半導体デバイスとしての実用化にはまだ多くの課題を残す。 だが、これまで絶縁体として使われていたサファイアを半導体として使うことができれば、次世代パワー半導体材料の炭化
1
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
処理を実行中です
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く
