東大生研、大容量＆低消費電力のFeFETを開発東京大学生産技術研究所は2019年6月10日、大容量で低消費電力な8nmの極薄IGZOチャネルを有するトランジスタ型強誘導体メモリ（FeFET）を開発した、と発表した。同所は、「IoTデバイスのエネルギー効率が飛躍的に向上し、より高度で充実したネットワーク、サービスの展開が期待される」としている。 IoTデバイスのエネルギー効率が飛躍的に向上 東京大学生産技術研究所は2019年6月10日、大容量で低消費電力な8nmの極薄IGZOチャネルを有するトランジスタ型強誘導体メモリ（以下、FeFET）を開発した、と発表した。同所は、「IoTデバイスのエネルギー効率が飛躍的に向上し、より高度で充実したネットワーク、サービスの展開が期待される」としている。 あらゆるものがインターネットにつながるIoT（モノのインターネット）の普及に向け、センサーや通信機能が備わったIoTデバイスは、低消費電力化が求めら
