バイポーラトランジスタの『出力特性』と『飽和領域、活性領域、遮断領域』について
この記事ではバイポーラトランジスタの出力特性(IC-VCE特性)について詳しく説明します。 バイポーラトランジスタの『出力特性(IC-VCE特性)』とは？ 出力特性(IC-VCE特性)とは、エミッタ接地トランジスタの静特性で、あるベース電流IBを流している状態において、コレクタ-エミッタ間電圧VCEとコレクタ電流ICの関係を表した特性です。 コレクタ-エミッタ間電圧VCEがある一定値を超えるまでは、コレクタ-エミッタ間電圧VCEが増加するとコレクタ電流ICが増加しますが、コレクタ-エミッタ間電圧VCEがある一定値を超えると、コレクタ電流ICはコレクタ-エミッタ間電圧VCEによらず、ベース電流IBに依存する値となります。 バイポーラトランジスタの飽和領域、活性領域、遮断領域について バイポーラトランジスタの『出力特性(IC-VCE特性)』には3つの領域(飽和領域、活性領域、遮断領域)がありま
【ワレコの電子工作】FET & CRD選別冶具（改訂版）を作る[1/2]
FET & CRD選別冶具（改訂版）はこんな回路 「FET & CRD選別冶具（改訂版）」の回路をぺるけさんのサイトから引用させて頂くと、以下の通り。 図 ぺるけさん設計のFET & CRD選別冶具（改訂版） 引用元 http://www.op316.com/tubes/toy-box/tester2.htm この選別冶具はN-chのFET専用だ（その後、この回路を参考にワテ独自のP-ch版も作ってみた。解説記事有り）。 特徴としては、ツェナーダイオードとトランジスタから成る定電流回路があるが、ロータリースイッチS3でエミッター抵抗値を切り替えると、ドレイン電流値を三段階に切り替えられる。 ぺるけさんの設計では、 0.75mA 1mA 2mA の三種類の電流値に設定出来るように三つの抵抗R1, R2, R3の値を事前に決めておく。 このようにしておくと、例えば1mAのドレイン電流が流れてい
![【ワレコの電子工作】FET & CRD選別冶具（改訂版）を作る[1/2]](https://cdn-ak-scissors.b.st-hatena.com/image/square/7e3c6459ee26c16eeb626ab70e74f9365cccbbef/height=288;version=1;width=512/https%3A%2F%2Fwww.wareko.jp%2Fblog%2Fwp-content%2Fuploads%2F2018%2F06%2Ffeatured-096.jpg)
ダーリントントランジスタ
a ) ,b )のように同極接続の組み合わせは等価的なVBEはVBE1+VBE2になりますが、c ) ,d ) の
トランジスタの電流増幅率βの求め方について - 先日、バイポーラトランジスタの静特性についての実験を行いました。そこで、エミッタ接地回... - Yahoo!知恵袋
Ibを横軸、Icを縦軸、Vceをパラメータとしたグラフというのは、ちょっと、置いておいて。 コレクタ・エミッタ間電圧を0.05,0.1,0.2,0.5,1,2,5,10,15Vと変化させながら ベース電流Ibを5,10,20,50,100（μA)に設定したときコレクタ電流Ic(mA)のグラフに注目します。 Ib=100μAのときのIcを縦軸から読み取ります。 β=Ic/Ibを割算で求めます。例えば、Ic=10mAとすると、β=Ic/Ib=10/0.1=100 これが、直流に対するβです。グラフのどの点をとるかで変ってきますがね。 次は交流に対するβです。 例えば、Vce=5V で縦軸に平行に縦線を引きます。 その縦線がIb=20μA と50μAと交わるIcの値をIc1, Ic2としましょう。 その場合、交流というか、小信号の振幅ですね、 β=(Ic2 - Ic1)/(0.05-0.02)・
コンデンサ・マイク用電源回路 | CQ出版社 オンライン・サポート・サイト CQ connect
コンデンサ・マイクを使用するためには，比較的高い電圧の電源が必要です．図1は，コンデンサ・マイクに使用する48V電源の，簡略化した回路図です．12Vの電源から昇圧回路を使用して必要な電圧（ここでは48V）を発生させます．図1の回路で，黄色い部分の回路の役割の説明として，もっとも適切なのは，(a)～(d)のどれでしょうか．
光増幅器 - Wikipedia
レーザー活性層でのポンプ作用でレーザーと同じ波長の光を増幅する。このような増幅器は通常高出力のレーザーシステムに使用される。回生増幅器やチャープパルス増幅器が超短パルスの増幅に使用される。 ドープトファイバー増幅器の作動の模式図 ドープトファイバー増幅器（DFAs[注釈 1]）とは不純物を添加した光ファイバーを用いる増幅器である。ファイバーレーザーにも関連する。増幅すべき光信号は励起光とファイバーに入り、添加されたイオンとの相互作用によって増幅される。代表例はエルビウムドープトファイバー増幅器（EDFA）で石英ファイバーに3価のエルビウムイオン（Er3+）が添加されており、波長が980 nmまたは1,480 nmの光で励起することで、1,550 nm帯の信号光に対して増幅作用を示す。 また、長尺のドープトファイバーにより、1,580nm帯の信号光に対して増幅作用を示す。 半導体光増幅器は増
MOSトランジスタの概略と動作原理、特性
MOSトランジスタは電界効果トランジスタの仲間です。正確にはMOSFETと言います。MOSFETとはMetal-Oxide-Semiconductor-Field-Efect-Transistorの頭文字をとったものです。一般的にMOSトランジスタと呼ばれています。 MOSトランジスタはバイポーラトランジスタと同じような動作をしますが原理は全く違います。 MOSトランジスタは電界効果トランジスタですから電圧で制御します。電界効果トランジスタの概略は電界効果トランジスタのページをお読み下さい。 JFETはこちら-->JFETトランジスタ 図１はMOSトランジスタの記号ですがダイオードが並列に接続されています。一般的にこのダイオードは回路図上で記入しません。(メーカーのデータシートの記号は記入されています)これは説明の都合上、記入しています。 このダイオードはMOSトランジスタの寄生ダイオード
1
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く
定電流回路 いろいろ - new_western_elec
三菱電機技報
https://www.shmj.or.jp/dev_story/pdf/develop60.pdf
https://www.tij.co.jp/jp/lit/wp/jajy087a/jajy087a.pdf?ts=1598331570273&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.co.jp%252F
Print