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CMOSに関するou2kのブックマーク (2)

遊びの会社と、背徳の香りと
ソニーが開発した裏面照射型CMOSセンサの新技術と同じような3次元積層技術は、今後競合他社でも開発が広がりそうな気配です。いずれ、一眼レフ・カメラ並みの処理機能を備えたスマートフォンを舞台に、これまでカメラ開発に縁のなかった人材を含めた多くの開発者による「よってたかって」のカメラの再定義が始まる。その呼び水になるのではと妄想が広がります。スマートフォン分野には今、それだけの開発パワーをあっという間に集める勢いがあるからです。もう数年前になりますが、『日経ビズテック』というメディアで「勝手に考えるソニー再生計画」という特集記事に携わったことがあります。ちょうど、今と同じようにソニーの業績が下向きになり、経営陣の交代時期でした。国内外の十数人の著名人や同社のOBに、勝手に再生計画を考えてもらうという内容です（関連コラムの記事「みんなでソニーを考えよう」はこちら）。ほぼ全員から全く異なる内容
ou2k 2012/03/22
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東芝、画素サイズ1.12μmのBSI型CMOSイメージセンサを開発 | エンタープライズ | マイコミジャーナル
東芝が開発した画素サイズ1.12μmのBSI型CMOSイメージセンサ東芝は、携帯電話やスマートフォン向けに画素サイズ1.12μmのBSI(裏面照射)型CMOSイメージセンサを開発したことを発表した。2011年7月下旬よりサンプル出荷を開始し、2011年末から量産を行う計画としている。 BSI構造は、受光部が配線層で減衰しないよう裏面から光を入れる構造とすることで、CMOSセンサの画素の小型化に伴い感度が低下する課題を解決する物。同製品の仕様は、光学フォーマット1/4インチ、画素数8.08Mピクセル、画素サイズ1.12μm、フレームレート30fps(8Mピクセル)、60fps(1080p/720pに対応)となっている。なお、同社は携帯電話やスマートフォンなどが小型化する流れに応じた1.12μmのBSI型CMOSイメージセンサを開発しラインアップに追加することで、BSI市場に本格参入する
ou2k 2011/07/12
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