3D NANDフラッシュの競争は激化へ3D NANDフラッシュの競争は激化へ：Micronが「ISSCC 2016」で768Gビット品を発表（1/3 ページ） Micron Technologyは「ISSCC 2016」で、3ビット／セルのフローティングゲート方式を適用した、768Gビットの3次元（3D）NAND型フラッシュメモリを発表した。読み出し速度は、800Mバイト／秒だという。3D NANDフラッシュの競争が激化することが予想される。 Micron Technologyは、NAND型フラッシュメモリの画期的な設計技術に関する論文を発表した。不揮発性メモリ市場でのリーダーシップを発揮するSamsung Electronicsが採用する3次元（3D）垂直構造のNANDフラッシュ技術の対抗馬となる技術だという。MicronとSamsungはそれぞれ、米国サンフランシスコで開催された「ISSCC 2016」（2016年1月31
