産総研：半導体系スピントロニクス素子における伝導現象を解明
発表・掲載日：2005/08/23 半導体系スピントロニクス素子における伝導現象を解明 スピントランジスタの実現に道 ポイント すべて半導体材料から構成された新型トンネル磁気抵抗(TMR)素子を開発 全半導体系スピントロニクス素子における、スピン情報の保持と伝搬のメカニズムを解明 スピントランジスタの実現につながる成果 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】(以下「産総研」という)エレクトロニクス研究部門【部門長 和田 敏美】スピントロニクスグループ 齋藤 秀和 研究員らは、全て半導体材料から構成されたトンネル磁気抵抗(TMR ; Tunneling Magneto-Resistance)素子を作製し、電子の持つスピン（究極の微小磁石）に依存する電気伝導現象の解明に初めて成功した。 スピントロニクスという名前で呼ばれる磁性体を利用するエレクトロニクス技術からは、ホームサーバ
