サムスン超え、東芝世界一へ ３次元メモリー「４８層」年内量産（1/2ページ）東芝がスマートフォンなどに使われる記憶用半導体の「３次元タイプ」のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーで、韓国のサムスン電子を上回る製造技術を開発したことが２４日、わかった。記憶素子を垂直に積載する３次元メモリーはサムスンが昨年から３２層の積層品を量産しているが、東芝は４８層のタイプを開発し世界一に躍り出る。東芝は今年後半から量産する計画で、今後、スマホなどに保存できるデータ容量が飛躍的に増える可能性がある。 東芝が開発する３次元メモリーは、従来タイプよりも記憶容量を大幅に高められ、半導体の小型化も可能で、次世代の競争を左右する技術とされる。 これまでは記憶素子を平面に並べ、回路線幅を縮めることで、容量を拡大する手法が主流だったが、微細化は限界に来ている。３次元メモリーは記憶素子を積むほど容量が大きくなる利点があるが、製造コストがかかるのが課題だ。 昨年から量産を開始しているサムスンも不良品率が高
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