シリコン(ケイ素)の大きな単結晶(純度99.999999999%)を、ダイヤモンドブレードでスライスして、薄いシリコンウェーハを作ります。
シリコン(ケイ素)の大きな単結晶(純度99.999999999%)を、ダイヤモンドブレードでスライスして、薄いシリコンウェーハを作ります。
積層メモリを革新するTCIとHDSV 黒田氏が電力効率の改善へ提案するのは、チップやモジュールの接続をTSVやコネクターなどの機械式から、電子式の「近接場結合」による3D集積へと変えることだ。「Suica」など電子マネーに用いられている近接場は、移動通信などに用いられる遠方場と比較して、少し距離が離れると急激にエネルギーが減衰するため通信距離が短い。しかし、あまり飛ばないために混信せず、見えない配線があるかのように対象へ届く特長を持つ。 黒田氏らの研究グループは、科学技術振興機構(JST)の戦略的創造研究推進事業(CREST)の助成を受けて、近接場結合を用いた集積技術の開発を行ってきた。それが「TCI:ThruChip Interface」と「TLC:Transmission Line Coupler」となる。 TCIは、磁界結合を用いた積層チップ間通信である。黒田氏は「磁界は、配線や基板
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