抵抗、コンデンサ、インダクタに次ぐ「第4の受動素子」をHP社が実現 ― EE Times Japanメモリスタは、通過した電荷量に応じて抵抗値が変化する素子である。この画像は、17個のメモリスタを並べて集積したチップを、原子間力顕微鏡で撮影したもの。各メモリスタの幅は50nm。出典：米HP Labs 電子回路理論におけるミッシング・リンク――その存在を指摘されつつも、実現されていなかった回路素子｢メモリスタ（memristor）｣。抵抗、コンデンサ、インダクタに続く、「第4の受動素子」である。その製造に、米Hewlett Packard社の研究部門であるHP Labsが初めて成功した。 メモリスタの存在は、1971年に米University of California, Berkeleyの教授であるLeon Chua氏が「IEEE Transactions on Circuit Theory」で発表した論文において指摘されていた。ただし実際に素子として製造されたのは、今回のHP社の成
