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ソフト・エラーの新要因やTSVの信頼性データなどが登場 ―― 国際信頼性物理シンポジウム（IRPS）2011レポート
ソフト・エラーの新要因やTSVの信頼性データなどが登場 ―― 国際信頼性物理シンポジウム（IRPS）2011レポ... ソフト・エラーの新要因やTSVの信頼性データなどが登場 ―― 国際信頼性物理シンポジウム（IRPS）2011レポート 福田 昭 半導体の信頼性物理に関する世界最大規模の国際会議「国際信頼性物理シンポジウム（IRPS：International Reliability Physics Symposium）」が4月12～14日に米国カリフォルニア州Montereyで開催された．半導体デバイスの不良を引き起こす物理現象とそのモデリング，そして対策技術に関するトピックスが議論された（写真1）． 写真1 国際信頼性物理シンポジウム（IRPS）の会場風景 米国カリフォルニア州MontereyのHyatt Regency Montereyで開催された． 半導体デバイスの不良は一般に，3種類の時期に分けて論じられる．すなわち「初期不良期」，「偶発不良期」，「磨耗不良期」である． 初期不良期は半導体デバイス
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