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電圧トルクMRAMの安定動作を実証、評価法も開発
電圧トルクMRAMの安定動作を実証、評価法も開発:究極の省電力メモリ実現に道筋(1/2 ページ) 産業技術... 電圧トルクMRAMの安定動作を実証、評価法も開発:究極の省電力メモリ実現に道筋(1/2 ページ) 産業技術総合研究所の塩田陽一研究員は、電圧書込み方式不揮発性メモリが安定動作することを実証するとともに、書込みエラー率の評価方法を開発した。電圧トルクMRAMの実用化に向けた研究に弾みがつくものとみられる。 産業技術総合研究所(産総研) スピントロニクス研究センター電圧スピントロニクスチームの塩田陽一研究員は2015年12月、電圧書込み方式不揮発性メモリが安定動作することを実証するとともに、書込みエラー率の評価方法を開発したと発表した。この成果により電圧書込み型磁気メモリ「電圧トルクMRAM」の実現に向けた研究に弾みがつくとみられている。 産総研はこれまで、大阪大学 大学院基礎工学研究科の鈴木義茂教授らと協力して、厚さ数原子層程度の金属磁石薄膜に電圧を印加し、磁化の向きやすい方向(磁気異方性)
2015/12/16 リンク