ペルチェ素子

ペルチェ効果とは1834年にフランスのペルチェが発見したもので、２種の導体や半導体の接点に電流を流すと電導率の違いから熱の移動が起こるという現象です。Ｐ型とＮ型の半導体で作った場合、Ｐ→Ｎの部分では電子が流れにくいため熱を吸収して｛元気になって｝通過しようとし、Ｎ→Ｐの部分では電子が流れやすいため熱を放出して｛元気をなくして｝通過するため熱の移動が起こると考えられます｛私の解釈です｝。言い替えれば、１本の導線中を流れる電流はどこでも同じはずですから、流れにくいところでは電子が熱をもらって馬力を上げ、流れやすいところでは電子が熱を放出して馬力を下げようとするために熱の輸送が行われるという事です。 今回使ったペルチェ素子はＰ，Ｎ型半導体がそれぞれ１２７個直列につながったものです。Ｐ－Ｎ接合はダイオードの様に密着しているわけではありません。また、１７Ｖの電圧をかけても、１個の素子当たり０．０７Ｖ