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EUV露光
EUV露光とは、波長が13.5nmの極端紫外線(extreme ultraviolet)を用いた半導体露光技術のこと。半導体... EUV露光とは、波長が13.5nmの極端紫外線(extreme ultraviolet)を用いた半導体露光技術のこと。半導体を極限まで微細化する技術として、長年期待を集めてきた。ところがEUV露光装置の開発は大幅に遅れており、最近では実用化が危ぶまれる状況となっている。露光は、半導体の微細化を根本から支える技術。それだけに、EUV露光の成否は半導体の将来を大きく左右することになる。 光源の出力が足りない EUV露光装置の開発が遅れている最大の要因は、露光のスループットを決める光源の出力アップが遅々として進んでいないことである。2014年2月に開催された露光技術に関する国際会議「SPIE Advanced Lithography」。この場で半導体露光装置最大手のオランダASML社が発表したEUV光源の出力は70Wにとどまり、発光の持続時間もわずか6分間である。対して、露光装置ユーザーである半