エントリーの編集
エントリーの編集は全ユーザーに共通の機能です。
必ずガイドラインを一読の上ご利用ください。
デンソーのIGBT開発担当者に聞いた,SiCやGaNの可能性 - アナログ - Tech-On!
記事へのコメント0件
- 注目コメント
- 新着コメント
このエントリーにコメントしてみましょう。
注目コメント算出アルゴリズムの一部にLINEヤフー株式会社の「建設的コメント順位付けモデルAPI」を使用しています
- バナー広告なし
- ミュート機能あり
- ダークモード搭載
関連記事
デンソーのIGBT開発担当者に聞いた,SiCやGaNの可能性 - アナログ - Tech-On!
デンソーは,日本シノプシスが2010年7月9日に都内で開催した「Synopsys TCAD Seminar 2010」において,I... デンソーは,日本シノプシスが2010年7月9日に都内で開催した「Synopsys TCAD Seminar 2010」において,IGBT(insulated gate bipolar transistor)の技術開発の歴史について講演した。講演タイトルは「四半世紀にわたるIGBT技術開発の軌跡(1984~2009年) -TCADがなければIGBTはここまで発展しなかった-」。講演者は,デンソーで長年,IGBTの開発を主導してきた,同社 デバイス開発部 第2開発室 (兼) 電気開発部 第2開発室 主幹の戸倉規仁氏である。