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東芝の自由な気風が生んだ、高速MOSFETの先駆的研究――山崎貞一賞を受賞した東大の高木氏に聞く
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東芝の自由な気風が生んだ、高速MOSFETの先駆的研究――山崎貞一賞を受賞した東大の高木氏に聞く
半導体や材料、バイオ・テクノロジーなどの分野で、先駆的な業績を残した日本人研究者に与えられる「山... 半導体や材料、バイオ・テクノロジーなどの分野で、先駆的な業績を残した日本人研究者に与えられる「山崎貞一賞」。平成24年度(第12回)の「半導体及び半導体装置分野」で同賞を受賞したのは、東京大学大学院 工学系研究科 教授の高木信一氏である。受賞対象になったのは「Si MOSFETのチャネル内キャリア輸送特性の解明と高移動度化への先駆的貢献」だ。これまでの研究の歩みについて高木氏に聞いた。 ─今回の受賞対象となった研究に、どのような経緯で携わるようになったのか。 高木氏 1982年に大学院に入り、研究テーマとしてIII-V族化合物半導体を用いたMOSFETを選んだ。当時は、Si MOSFETがLSI向けトランジスタの覇権を握り続けるかどうかが不透明だった。超高速LSI応用に向けては、超伝導やHEMT(high electron mobility transistor)にも期待が集まっていた時期