IBMの新LSI冷却技術，ヒート・シンクとの圧着面に微細な溝を刻み熱伝導率を向上

米IBMが米国とスイスで現地時間3月22日，新しいLSI冷却技術「high thermal conductivity interface technology（高熱伝導率インタフェース技術）」の詳細を発表した。同技術を電子基板へのLSI実装時に適用すると，LSIの冷却効率を大幅に向上できるという。 この技術は，IBMの研究所IBM Zurich Research Laboratoryが中心となって開発した。概要は2006年10月に公表済み（関連記事）。 LSI冷却時には，LSIとヒート・シンクなどとのあいだに特殊な樹脂材料を塗布し，接触性を高めて熱を移動しやすくする。この樹脂材料には，熱伝導性を高める目的で，マイクロ・メートル大の金属またはセラミックスの粒子を入れる。ただし，粒子の含有率を上げても，冷却効率の改善は頭打ちになってしまうという。また，塗布する樹脂の厚みが薄いほど全体の冷却能力