[pdf] 直動型摩擦試験によるゴム‐路面間のマルチスケール評価

SiCデバイスの応力解析と順方向劣化現象への応力の影響 ワイドギャップ半導体である炭化ケイ素(SiC)は、Si半導体以上の電気特性を有することから次世代パワーデバイスの材料として注目されています。半導体デバイスには，その製造過程で複雑な応力分布が生じ，剥離やボイド，電気特性の変動などの信頼性低下を引き起こす原因となります。加えて，SiCバイポーラデバイスでは，順方向劣化現象と呼ばれる通電により積層欠陥が拡大する特異な現象が生じ，デバイスへの大きな課題となっています。本研究では，特に開発が盛んな4H-SiCパワーデバイスの信頼性向上を目的に，応力分布解析手法の構築や，順方向劣化現象に応力が与える影響のモデル化を行っています。 半導体に生じる応力は，実験的にはラマン分光法によりラマンシフトと呼ばれる光の振動数の変化を測定することで評価ができます。しかしながら，ラマンシフトは振動数の変化というス