【福田昭のセミコン業界最前線】 3D NANDが128TBの超大容量SSDを実現へ
記憶容量が現行メモリの10倍＆消費電力は3分の2の次世代メモリ「MRAM」を日米20社の半導体企業が共同開発、いよいよ量産化が明確に
By Chris Sinjakli 現行のDRAMに代わる次世代メモリとして期待される「MRAM」を、マイクロン・東京エレクトロンなど日米半導体開発関連企業20社が、研究開発拠点となる東北大学「国際集積エレクトロニクス研究開発センター」で共同開発することが決定しました。日米半導体連合は2018年のMRAM量産化を計画しており、いよいよ量産化に向けてMRAMの開発が加速する見込みですが、「そもそもMRAMは現行のメモリとどう違うのか？」ということで、現行メモリとMRAMの違いや、これまでの開発の流れをまとめました。 日米で次世代半導体 米マイクロンなど20社超参加 ：日本経済新聞 http://www.nikkei.com/article/DGXNASDD23018_T21C13A1MM8000/ 日本、空洞化に危機感 日米で次世代半導体 ：日本経済新聞 http://www.nikke
【2ch】ニュー速クオリティ:次世代メモリは、故障知らずのゼリー状
1 名無しさん＠涙目です。(長崎県)2011/07/21(木) 20:29:40.69 ID:apbMLniw0 ?PLT(12000) ポイント特典 将来のコンピュータメモリーはゼリー状になる 米ノースカロライナ州立大学の研究者らは、このほど今までにないコンピュータ・メモリ素子を開発した。 それは、ゼリーのように柔らかく湿気に強いそうだ。 現在のメモリーは衝撃に弱いうえに、湿気や水分を嫌う。当然ながら、パソコンを落としたり濡らしたりすれば、壊れるだけでなく、 メモリー内部も損傷を受けデータは消失してしまう。このメモリ素子が実用化した暁には、これら主な故障原因の影響を受けにくくなるようだ。 開発を進めているのはマイケル・ディッキー博士のチームだ。最近発表したところによると、彼らはまるでゼリーのようなメモリ素子を開発し、 デバイスとして利用できる道を模索しているという。 博士
1
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
処理を実行中です
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く
Engadget | Technology News & Reviews
