14,300千円 (直接経費: 14,300千円) 2002年度: 1,500千円 (直接経費: 1,500千円) 2001年度: 5,600千円 (直接経費: 5,600千円) 2000年度: 4,400千円 (直接経費: 4,400千円) 1999年度: 2,800千円 (直接経費: 2,800千円) 平成11〜13年度にかけて実施された本特定領域研究(B)は、次世代素子実現のための材料制御に新たな道を開くため、半導体における電子励起原子移動現象について、得られた知見をもとにして制御性と効率の良い新しい原子・分子操作技術を開発することを目標に、8つの研究班が対象とする物質と問題意識を共有しながら、現象の全容と個々のメカニズムを明らかにすることを目的とした共同研究である。具体的には、Si、C、GaAsなどの物質を対象とし、電子励起法としてレーザー光、放射光、電子線、イオン照射、電流注入、