半導体製造技術を理解するためのキーワード（基礎編）

2005年7月25日、Intelは米国アリゾナ州チャンドラーの製造拠点に300mmウエハ対応の半導体量産製造施設（Fab 32）を新たに追加、建設すると発表した（インテルのニュースリリース「米国アリゾナ州に300ミリ・ウエハ施設を新設」）。この製造施設では、2007年下半期から45nmプロセスでマイクロプロセッサの製造を開始するとしている。現在、Intelの主力製品であるPentium 4やPentium Mといったプロセッサはすべて90nmプロセスで製造されており、2005年末から2006年にかけて65nmプロセスによるマイクロプロセッサの製造を開始することを明らかにしている。Fab 32は、そのさらに次世代となる45nmプロセスをターゲットにした製造施設である。 このような半導体製造技術の進歩によって、プロセッサの動作クロックの向上や新しい機能の追加が可能になる。また1枚のウエハから製

[pipehead]

ウエハ (wafer), ダイ (die), ダイ・サイズ (die size), 歩留まり (defect rate), プロセス・ルール (process rule), リソグラフィ (lithography)