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富士通研、新しいナノデバイスの設計を可能にする大規模シミュレーションに成功 | RBB TODAY
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富士通研、新しいナノデバイスの設計を可能にする大規模シミュレーションに成功 | RBB TODAY
富士通研究所は8日、計算機上で新しいナノデバイスの正確な設計が可能となる、原子1,000個の電気特性シ... 富士通研究所は8日、計算機上で新しいナノデバイスの正確な設計が可能となる、原子1,000個の電気特性シミュレーションに成功したことを発表した。従来に比べて数倍の原子数を計算できるようになったため、試作を繰り返す必要がないという。 次世代のトランジスタ開発では、ナノ(10億分の1)単位のテクノロジーが活用されている。ナノスケールの世界では、原子のわずかな配置の違いがデバイスの電気特性に大きく影響する。正確な予測には、1つ1つの原子の振る舞いを正確に計算する「第一原理計算」による電気特性シミュレーションが利用されるが、第一原理計算は大規模な計算が必要なため、その適用は数100原子にとどまっており、ナノデバイスの設計に必要と考えられる原子1,000個規模の電気特性シミュレーションを実現することができなかった。 今回、富士通研では、北陸先端科学技術大学院大学が開発した第一原理計算プログラムである「

