JAIST、スピン軌道相互作用によるトランジスタの実現に近づく成果を発表

北陸先端科学技術大学院大学(JAIST)は、GaAs系化合物半導体を用いたスピン工学デバイスの開発研究において、スピン軌道相互作用を利用するスピントランジスタの実現に大きく近づく高効率スピン注入実験と、まったく新しい半導体スピン工学デバイスの基礎となる新構造の作製に成功したと発表した。 成果は、同大 マテリアルサイエンス研究科 山田研究室 日高志郎博士後期課程、ナノマテリアルテクノロジーセンター 赤堀誠志助教らよるもの。高効率スピン注入実験の成功に関する詳細は、「Applied Physics Express」掲載された。また、スピンデバイス用新構造作成に関する詳細は、「Journal of Applied Physics」に掲載される予定。 シリコン半導体のプロセス微細化の限界が見えてきた現在、次世代半導体として期待されるものの1つとして、半導体スピンデバイスがある。その中の1分野として

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