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東北大と京大、反強磁性体を用いたスピントルク磁気メモリを実証
東北大学と京都大学は、コバルト・ガドリニウム(CoGd)合金多層膜からなる反強磁性材料を用いた反強磁性... 東北大学と京都大学は、コバルト・ガドリニウム(CoGd)合金多層膜からなる反強磁性材料を用いた反強磁性体スピントルク磁気メモリを実証したと発表した。 同成果は、東北大学金属材料研究所の関剛斎 准教授、高梨弘毅 教授、周偉男 博士研究員(現:物質・材料研究機構ポスドク研究員)、京都大学化学研究所の森山貴広 准教授と小野輝男 教授らで構成される研究グループによるもの。詳細は米国の科学誌「Physical Review Letters」のオンライン版に公開された。 高度情報化社会の進展に伴い、情報記録デバイスの超高記録密度化・低消費電力化が求められている。HDDやMRAMなどの磁気記録デバイスでは、コバルト(Co)や鉄(Fe)、ニッケル(Ni)などの強磁性体からなる記録層に、電流あるいはスピントルク効果や磁場で、0か1のデジタル情報を描き込む、磁気モーメントの反転により記録する方法が用いられてい
2018/10/26 リンク