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東大、抵抗変化率が2万5000%にも及ぶ「巨大磁気抵抗スイッチ効果」を発見
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東大、抵抗変化率が2万5000%にも及ぶ「巨大磁気抵抗スイッチ効果」を発見
東京大学(東大)は3月13日、鉄と酸化マグネシウム(MgO)の2層構造からなる電極を持つホウ素(B)を添加した... 東京大学(東大)は3月13日、鉄と酸化マグネシウム(MgO)の2層構造からなる電極を持つホウ素(B)を添加した半導体ゲルマニウム(Ge)の20nmのチャネル長を有する二端子デバイスにおいて、磁場で制御可能な「抵抗スイッチ(RS)効果」を観測。「巨大磁気抵抗スイッチ(CMRS)効果」と命名し、これにより抵抗変化率が2万5000%におよぶ大きな抵抗変化を磁場で実現したと発表した。 同成果は、東大大学院 工学系研究科の大矢忍教授、同・鶴岡駿大学院生(研究当時)、同・金田昌也大学院生、同・新屋ひかり特任准教授、同・武田崇仁特任助教、同・Le Duc Anh准教授、同・吉田博嘱託研究員、同・田中雅明教授、産業技術総合研究所の福島鉄也研究チーム長、海洋研究開発機構の真砂啓技術副主幹らの共同研究チームによるもの。詳細は、機能性材料に関する化学と物理学を扱う学際的な学術誌「Advanced Materia