第４章：CMOS－IC の抵抗とコンデンサ 1 第４章 CMOS-IC 上の抵抗とコンデンサ（キャパシタ） MOS トランジスタに続いて本章は CMOS-IC 上で形成される受動デバイスである抵抗及びコンデンサ （�第４章：CMOS－IC の抵抗とコンデンサ 1 第４章 CMOS-IC 上の抵抗とコンデンサ（キャパシタ） MOS トランジスタに続いて本章は CMOS-IC 上で形成される受動デバイスである抵抗及びコンデンサ （キャパシタ）について説明をしたいと思います。 CMOS-IC 上の受動部品 ほとんどの CMOS-IC プロセス（製造工程）において抵抗、コンデンサの受動デバイスは形成可能で す。これは受動デバイスを作るためのプロセスが用意されているというよりは MOS トランジスタを形成 する過程において抵抗やコンデンサに利用可能な要素も形成してしまう工程上の副作用があるためです。 アナログ CMOS-IC の殆どがこれら受動部品の恩恵を利用して作られています。 その後、多少のプロセス追加により良好な抵抗やコンデンサの性質を実現できるオプション・プロセ スが開発されました。現在は多数の
