IBM introduces new graphene transistor
IBM introduces new graphene transistor by Deborah Braconnier , Phys.org (PhysOrg.com) -- In a report published in Nature, Yu-ming Lin and Phaedon Avoris, IBM researchers, have announced the development of a new graphene transistor which is smaller and faster than the one they introduced in February of 2010. This new transistor has a cut-off frequency of 155 GHz, compared to the 100 GHz previous tr
第2回：「高速トランジスタや光デバイス」――2013年に500GHz動作のグラフェン・トランジスタが実現へ
グラフェンをチャネル層に用いた高速トランジスタの開発に最も熱心な企業の一つが米IBM Corp.だ。同社は2008年には最初のグラフェン・トランジスタを開発し，2010年12月の国際学会「IEDM 2010」で，ゲート長240nm，遮断周波数が230GHzのグラフェンFETについて発表するなど，一貫して研究開発をリードしてきた（関連記事）。 ただし，最近はライバルが同社を猛追している。例えば，韓国Samsung Advanced Institute of Technology（SAIT）である。SAITは，IEDM 2010ではIBM社に迫る遮断周波数202GHz（ゲート長は180nm）のグラフェンFETを発表した。他にも，産業技術総合研究所と富士通研究所，NTT物性科学基礎研究所，米Boeing社と米GM社の共同研究機関である米HRL Laboratories, LLCなど非常に多くの研
グラフェンでカーボン・エレクトロニクス時代が来るか - 日経エレクトロニクス - Tech-On！
2010年は，もしかすると後世の人から，エレクトロニクス分野の主役となる材料が，シリコン（Si）から炭素（C）にとって代わる転換点の年だといわれる年になるかもしれない。そのきっかけとなりそうな出来事や開発，発見がいくつも起こっているからだ。 一つは，2010年のノーベル賞である。物理学賞も化学賞も炭素に関連した研究が受賞した（関連記事）。物理学賞は，炭素が6角形（6員環）の網状につながった「グラフェン」を黒鉛（グラファイト）から「画期的な（groundbreaking）」（スウェーデン王立科学アカデミー）方法で単離したことなどが受賞理由になった。そして化学賞は，有機化合物同士を結合させる「カップリング反応」の開発が受賞理由だ。もっと簡単に言えば，一方は炭素間の結合（といってもファンデルワールス力ですが）を切る技術，もう一方は，結合させる技術が評価されたことになる。 両技術は，炭素という非常
FeとCNT組み合わせた不揮発メモリー、1Tビット/インチ2のデータを10億年間保持 ― EE Times Japan
FeとCNT組み合わせた不揮発メモリー、1Tビット/インチ2のデータを10億年間保持（2009/05/31） 既存のSi（シリコン）ベースの記憶素子と比較して、高密度で記録できるほか、熱力学的安定性が高いため記録したデータを室温下で10億年以上も保持できるメモリー技術が開発された。 研究チームのリーダーである米University of Califonia, BerkeleyのAlex Zettl教授が米Nano Letters誌に投稿した論文「Nanoscale Reversible Mass Transport for Archival Memory」によると、記録密度は平方インチ当たり1Tビット以上に達する。既存のメモリー技術では同10G～100Gビットのデータを10～30年程度保持できるに過ぎない。 中空の多層カーボン・ナノチューブ（CNT）中に封入されたFe（鉄）からなる
1
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く
普及目前のSiCパワー半導体，「省エネの切り札になるが，高温動作の実装技術が課題」