Samsung、PRAMのワーキングプロトタイプを開発韓国Samsung Electronicsは9月11日、次世代不揮発性メモリ「PRAM（Phase-change Random Access Memory：相変化メモリ）」の初のワーキングプロトタイプを完成させたと発表した。 同社は512メガビットのPRAMをソウルで開催の年次カンファレンスで披露した。 PRAMの大きな利点は処理速度にあり、先に蓄積されたデータを消さなくてもデータを書き換えられるため、従来のフラッシュメモリより30倍高速だとSamsungは述べている。また耐久性にも優れ、寿命はフラッシュメモリの10倍以上という。 同社は発表文の中で、PRAMは2008年に提供開始され、NOR型フラッシュメモリに代わるメインメモリになるだろうとしている。SamsungのPRAMはセルサイズがNOR型フラッシュの半分で、製造プロセスのステップ数は20％少ない。 PRAMは将来、マルチ機能携帯
