Nintendo Switch 2: Everything we know about the coming release
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立体交差もできる! 銅の100倍電流を流せるカーボンナノチューブ材料で微細配線加工に成功:新材料 カーボンナノチューブ(1/2 ページ) 産業技術総合研究所と単層CNT融合新材料研究開発機構は、単層カーボンナノチューブと銅の複合材料による微細配線加工に成功したと発表した。高い信頼性が要求される車載用デバイスや大電力を扱うデバイスのバックエンド配線をはじめ、シリコン貫通ビアやインタポーザなどでの応用を目指す。 産業技術総合研究所(以下、産総研)と単層CNT融合新材料研究開発機構(以下、TASC)は2014年1月23日、単層カーボンナノチューブ(CNT)と銅の複合材料による微細配線加工に成功したと発表した。単層CNTと銅の複合材料は、銅に比べ100倍の電流を流せる他、シリコンとほぼ同じ熱膨張率を実現できる材料であり、次世代半導体デバイスに適した配線材料として注目され、「今回の微細配線加工の成功
日経エレクトロニクスの2013年4月15日号では、「NEレポート」と「解説1」で、発光するシリコン(Si)やSiフォトニクスの記事を執筆しました。Siフォトニクスというのは、光を利用したデータ伝送用や信号処理用「回路」をSiチップ上に集積することを目指した技術です。そのSiフォトニクスには最近になって大きなブレークスルーが相次いでいます。「詳細は雑誌の記事で」と書きたいところですが、正直、誌面の制約のある記事では伝え切れなかった内容もありました。それが、Siを発光させる技術です。 実はSiフォトニクスといっても、これまで光源だけはSiベースで実現することができませんでした。これは、Siという半導体が高効率で発光させることが難しい半導体(間接遷移型半導体)であるため。LEDで一般的な窒素化ガリウム(GaN)が、直接遷移型半導体で非常に高効率に発光するのとは対照的です。Siが光らない故に、さま
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