パナソニック、強誘電体を用いた新構造のメモリスタを開発 | エンタープライズ | マイコミジャーナル
パナソニックは6月24日、半導体と強誘電体の界面伝導を利用した、新しい構造のメモリスタを開発したことを明らかにした。メモリスタは、流れた電流量によって抵抗値が変わり、その状態を保持する機能を持つ。今回、強誘電体の性質を用いて半導体の抵抗値を制御し、これまで実現されていなかった10万倍の抵抗値変化を得ることに成功した。これにより、1つの素子で多くの抵抗値を記憶することが可能となったほか、トランジスタとの一体化に成功し、高機能・高集積化の可能性が広がったこととなる。 今回開発したメモリスタの構造図と界面拡大写真 今回同社が開発した素子は、最大抵抗/最小抵抗の比が10万倍で、1つの素子で多くの抵抗値を記憶することが可能だ。これは、半導体と強誘電体との界面では、半導体の抵抗は、界面にある電子の密度に大きく依存するが、強誘電体は半導体界面の電子密度を大きく変化させるとともに安定保持できるため、これま
ヒューレット・パッカード、ハイニックスと共同でメモリスタを商用化へ
Hewlett-Packard（HP）は米国時間8月31日、メモリスタと呼ばれる、かつては理論上の回路技術だったものを製品化するパートナーとして、ソウルに本拠を置くHynix Semiconductorを選んだと発表した。 HPとHynixは共同でメモリスタを開発し、「ReRAM」と呼ばれる新しいメモリ技術としてメモリスタを商用化する計画だ。最初の製品は、おおよそ3年から5年のうちに入手できるようになるだろうと、HP Labsの情報量子システム研究所でディレクターを務めるR. Stanley Williams氏は述べた。 メモリスタ（「メモリレジスタ」を縮めた名称）は、1970年代にカリフォルニア大学バークレー校の研究所で初めて発見された。ただし当時は、レジスタ、コンデンサ、インダクタに続く第4の電気回路として、理論的に実現可能なことが示されただけだった。だが2008年、HP Labsの研
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