ルネサス エレクトロニクスは9月7日、100ギガビット・イーサネット(GbE)以降に対応するスイッチやルータなどのネットワーク機器向けメモリ4製品「μPD48011318」「μPD48011336」「μPD48011418」「μPD48011436」を開発、即日サンプル出荷を開始したことを発表した。サンプル価格はそれぞれ1万5000円で2011年4月より量産を開始、2012年には年間100万個の生産を計画している。 「μPD48011436」のパッケージ外観 4製品ともに、独自の40nmプロセスによるeDRAM技術を採用したほか、高速メモリ製品の開発で得たノウハウを用いた回路技術を搭載。これにより、従来品である288Mビット Low Latency DRAM「μPD48288236」と比べ、メモリ容量を4倍の1.1Gビットに拡大させることに成功したほか、ランダムサイクル性能30%以上向上と