MOSのキャリア移動度の求め方
MOSのキャリア移動度の求め方について教えて下さい。 MOSの形状比の算出式にW/L＝2Ids/（μCoxVeff^2）と記述されており、これを基に形状比を求めたいのですが、μの算出方法が分かりません。 Coxは酸化膜圧toxでMOSのモデルファイルなどに記述されていたのですが、移動度μに関してはどのように求めていくのでしょうか？ そもそもの考え方が間違っているのであれば、正しい導きだしのSTEPを教えて下さい。 又、得られたW/Lの形状比はそのあとどのようにしてW値・L値を出していくのでしょうか？形状比さえ合っていればW値・L値は適当で良いってわけでもないですよね？ 初心者的な質問で申し訳ございませんが、どなたかご教授頂けると幸いです。よろしくお願い致します。
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「コヒーレント光科学の展開」（タイトル16p）
http://www.nanonet.go.jp/japanese/facility/report/m-018.pdf
