共同発表：トランジスターの理論限界を突破 次世代省エネデバイス実現へ平成２４年６月１３日 科学技術振興機構（ＪＳＴ） Tel：03-5214-8404（広報課） 北海道大学 Tel：011-706-2610（広報課） ポイント スイッチング特性の良さを示すサブスレッショルド係数で世界最小の２１ｍＶ／桁を達成 現在の半導体集積回路に比べ回路全体で消費電力を１０分の１以下に低減が可能 デジタル家電の待機電力を大幅カット、モバイル機器電池の消耗を半分に低減する夢の省エネデバイスへ道 ＪＳＴ 課題達成型基礎研究の一環として、ＪＳＴ さきがけ専任研究者の冨岡 克広、北海道大学 大学院情報科学研究科の福井 孝志 教授らは、半導体中のトンネル効果注１）を用いることで、従来のトランジスター（電子の流れを電圧で制御してオンオフするスイッチ素子）の理論限界を大きく下回る低消費電力トランジスターの開発に成功しました。この素子はあらゆる電子機器の省エネルギー技術へ応用できます。
