シングルチップ・室温・連続駆動において、世界最高出力となる光出力150mW超を達成 深紫外LEDの光取出し特性と放熱特性を同時に向上させるナノ構造技術の開発に成功 深紫外265nm帯LEDで、世界初の実用域(100mW)超により、産業実用化に期待 NICT 未来ICT研究所において、深紫外光ICTデバイス先端開発センター 井上 振一郎 センター長らの研究グループは、光出力150mWを超える世界最高出力の深紫外LED(発光ダイオード)の開発に成功しました。波長200~300nmで発光する深紫外LEDは、塩素などの有害な薬剤を用いない光のみによるウィルスの殺菌・無害化や水銀ランプの代替などが期待されています。水銀フリーかつ小型で手軽に機器に取り付けることができるため、医療から環境、ICT分野まで幅広い分野の産業、生活、社会インフラに対して画期的な技術革新をもたらす可能性があります。しかし、これ
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