［CES 2017］Qualcomm，次世代ハイエンドSoC「Snapdragon 835」の概要を明らかに。消費電力は25％下がり，GPU性能は25％向上［CES 2017］Qualcomm，次世代ハイエンドSoC「Snapdragon 835」の概要を明らかに。消費電力は25％下がり，GPU性能は25％向上 編集部：小西利明 北米時間2017年1月3日，Qualcommは，北米最大の家電見本市「CES 2017」に合わせてプレスカンファレンスを開催し，次世代ハイエンドSoC「Snapdragon 835」の概要を公表した。 Samsungの10nm FinFETプロセス技術で製造される（関連記事）次世代プロセッサは，現在のハイエンドSoCである「Snapdragon 821」「Snapdragon 820」と比べて35％小さいパッケージに，約30億個のトランジスタを集積したものになるという。統合するCPUは8コア仕様の「Kyro 280」だ。 搭載製品が市場に登場するのは2017年前半の予定となっている。 Snapdragon 835を搭
