東大、イオンの動きでトランジスタの制御性を最大で100倍向上
東京大学は、単一の自己形成量子ドットのゲートにイオン液体を初めて適用し、トランジスタの制御性を従来比で最大100倍に向上させたと発表した。 同成果は、同大 生産技術研究所の平川一彦教授、同ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構の柴田憲治特任講師らによるもの。同大学院 工学系研究科附属量子相エレクトロニクス研究センターの岩佐義宏教授らと共同で行われた。詳細は、英国科学誌「Nature Communications」に掲載された。 半導体では、トランジスタの微細化・高集積化によって性能を高めてきたが、これまでと同様の手法での微細化が限界を迎えつつある。近年、この壁を乗り越えようと、新原理である単一電子トランジスタ(Single-Electron Transistor:SET)に関する研究が活発に行われている。SETでは、単一の量子ドットを電子の通り道として用い、ここにゲート電圧を加えることで、電
コンピューター消費電力、1万分の1以下に 東大 - 日本経済新聞
東京大学の柴田憲治特任講師と平川一彦教授らは、コンピューターの消費電力を現在の1万分の1以下にできる技術を開発した。電子を1個だけ動かせる素子を試作し、実用的な低電圧で操作した。2020年を目標に演算素子の試作を目指す。試作したのは電子1個で演算やデータを記憶する単一電子トランジスタと呼ぶ素子。電子が大量に集まった川のような電流で制御していた素子を電子1個だけで制御できれば、消費電
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