【福田昭のセミコン業界最前線】 「生死不明」のムーアの法則
高周波GaN次世代素子が存在感、旧来素子からの移行が本格化へ
高周波信号の大電力増幅に用いる素子（デバイス）として、GaN（窒化ガリウム）材料を使うトランジスタが存在感を増している。これまで電子管やGaAs(ガリウム・ヒ素) FET、Si（シリコン） LDMOSといったデバイスが使われていた応用分野で、GaNトランジスタへの移行が進む条件が整い始めているのだ。GaNデバイスの魅力とは。置き換えが進む条件とは。製品の開発状況は。背景や動向をまとめた。 GaN（窒化ガリウム）材料を使う高周波信号増幅用の大電力トランジスタの普及が、さまざまな分野で着実に進んでいる。かつては、防衛分野をはじめとした限られた領域でしか利用されていなかったが、近年になって航空管制用レーダー装置や衛星通信基地局、気象レーダー装置、医療機器などの分野でも採用が進み始めた（図1）。さらに、携帯電話の基地局にも、すでに数多くの搭載事例がある。 これらの分野では従来、マグネトロンやクライ
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