【レポート】メモリ技術解説(4) パケット方式を採用、Direct RDRAM | ネット | マイコミジャーナル
○Direct RDRAM Direct RDRAMは「Direct Rambus」と呼ばれるパケット方式の外部インタフェースを採用したDRAMである。SDRAMでは基本的にRAS、CAS、データラインの3つの信号を制御することでアドレッシングが行なわれるが、Direct RDRAMではこの3つをロウパケット、カラムパケット、データパケットとして、コマンドおよびデータのやりとりを実現している。このパケット化は、少ないポートでデータ幅を拡張できるというメリットがある。 次の図のように、SDRAMではデータ幅が固定されているため、1つのメモリモジュールであるDIMM上のチップ毎にデータラインが存在し、これを合わせて64ビットまたは128ビットのデータバスを構成している。またコントローラ側から見ると、制御ラインもDIMM毎に用意する必要がある。 SDRAMの信号ライン 一方、Direct RDR
【レポート】メモリ技術解説(3) DDR IからDDR IIへ、DDR-SDRAM | ネット | マイコミジャーナル
○DDR-SDRAM 「SDRAMをもっと高速に」という要求は当然のごとく生まれたが、半導体プロセスは急速には進歩しない。そこで考え出されたのが「DDR-SDRAM(Double Data Rate SDRAM)」である。 現状の半導体プロセスでは、DRAM内部の動作クロックは100MHz程度が限界である。SDRAMはこの内部動作クロックにインタフェースの動作クロックを併せたものであるが、データのやりとりを行なうインタフェース部分は、ラッチとバッファで構成されるだけなので高速動作が可能である。DDR-SDRAMはこの考えをもとに、内部速度はそのままでインタフェースの動作クロックを向上させたものである。 DDR-SDRAMは、すでに販売されている第一世代のDDR Iと2003年より販売が開始される第2世代のDDR IIがある。 ・DDR I DDR-SDRAMの大きな特徴として挙げられるのは
【レポート】メモリ技術解説(2) 同期動作で高速化、SDRAM | ネット | マイコミジャーナル
次に記憶の保持であるが、DRAMはその構造上、キャパシタに蓄えた電荷が自然に消滅してしまうという弱点がある。次の図はDRAMのセルのFET(MOSFET)を詳しく表したものである。 電荷のリーク MOSFETはGNDに接続されたP型半導体をベースに、ソース、ドレインにあたるN型半導体、ゲートにあたる酸化膜により構成されているが、N型半導体に存在する電荷はP型半導体に接続されたGNDに微小ながら流れ出してしまう(放電する)という特性がある。したがってキャパシタの端子間電圧は徐々に低下してしまう。そのためDRAMでは記憶を保持するためにリフレッシュというキャパシタの端子間電圧を復帰させる作業を定期的に行なってやる必要がある。 リフレッシュは前述のリード動作の1.から4.と同じ処理で行なわれる。非同期DRAMは次のインタフェースで構成される。 非同期DRAMのインタフェース(2M×8ビット＝16
【レポート】メモリ技術解説(1) メモリの基本、SRAM/DRAM | ネット | マイコミジャーナル
マイクロプロセッサは相変わらず、ほぼムーアの法則通りに18カ月で2倍の処理能力向上を実現しており、これが我々のパソコンの利用環境をより簡易で無駄の無いものに引き上げてくれている。ただ、マイクロプロセッサだけがいくら進化しても、コンピュータとしてのトータルパフォーマンスを上げることはできない。コンピュータとしてのトータルパフォーマンスを向上させるためには、メモリの高速化、外部機器とのインタフェースの高速化、外部機器の処理性能の向上などが必要である。 その中で特に重要なのが、メモリ(RAM)の高速化である。パソコンなどの情報処理装置の場合は、補助記憶装置からOSや各種のプログラムをメインメモリにロードし、そこから命令をマイクロプロセッサに渡すことで処理が実行されるわけであるから、いくらマイクロプロセッサが高速であっても、メモリが遅くては一向に処理は進まない。また現在のように、仮想記憶によるマル
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