室温で電圧による磁力のスイッチに成功～スピンデバイスの電気的制御手法に新たな道～千葉大地 化学研究所助教、小野輝男 同教授、小林研介 同准教授、島村一利 同大学院生らと日本電気株式会社（NEC）の研究グループは、科学技術振興機構（JST）課題達成型基礎研究の一環として、金属磁石の磁力を室温で電気的にスイッチすることに世界で初めて成功しました。 磁性体のキャリア濃度を電気的に制御してその性質を制御する研究は、これまで主に磁性半導体などを用いて行われてきました。ごく最近、磁性金属においても同手法を用いて磁化方向の電圧制御などが報告されるようになってきましたが、磁石の性質そのものを電気的にオンオフさせることは難しいと考えられてきました。 今回、代表的な強磁性遷移金属であるコバルトの超薄膜に絶縁膜を介して電圧を加えて、コバルト表面の電子濃度を変化させることで磁石の性質をもつ強磁性状態と磁石の性質をもたない常磁性状態を室温でスイッチできることを明らかにしました。 これにより、外
