書き込み速度が約1万倍の「次世代メモリー」開発へ、待機時の消費電力もほぼゼロに
従来のNAND型フラッシュメモリーの約1万倍の書き込み速度を実現する「次世代メモリー」の開発が開始されることが明らかになりました。 実現すれば今までとは比べものにならないほどの速度でデータを書き込みできるようになるだけでなく、待機時の消費電力もほぼゼロになるため、スマートフォンをはじめとしたモバイル機器での大きな活躍を見込むことができます。 詳細は以下から。 エルピーダ、シャープや東大らと次世代メモリー開発 - MSN産経ニュース 産経新聞社の報道によると、エルピーダメモリとシャープ、東京大学などが書き込み時間を大幅に短縮できる不揮発性の「次世代メモリー」を共同開発することが明らかになったそうです。 開発が開始されるのは電圧でデータを書き換えるため電流が微量で済み、消費電力が小さいとされる抵抗変化型メモリー「ReRAM」で、携帯情報端末などに用いられているNAND型フラッシュメモリの約1万
東芝、製品寿命を10倍以上に引き上げた従来よりも高速な大容量SSDを発売へ
ノートパソコン向けの512GBモデルSSDや、携帯電話向けメモリとしては最大容量となる64GBのメモリを発表するなど、フラッシュメモリ製品を積極的に手がけている東芝が製品寿命を10倍以上に引き上げた従来よりも高速な大容量SSDを発売する意向であることが明らかになりました。 詳細は以下から。 大容量記憶媒体ＳＳＤ 東芝、11年にも企業向け製品投入 日本経済新聞社の報道によると、東芝は2011年に製品寿命を10倍以上に引き上げ、HDDとの連携機能を盛り込んだ大容量SSDを企業向け製品として投入する意向であるそうです。 これは企業向け製品で先行するIntelやSamsungを追撃するためで、投入を予定しているモデルは2010年春以降に開発を始める新型フラッシュメモリを用いたものになるとのこと。なお、新型フラッシュメモリは記録手法を見直すことで、データの読み書きの速度が上がるほか、耐用年数も延びる
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