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○FeRAM(Ferroelectric RAM) (図3)FeRAMのセル FeRAMはDRAMの延長線に存在するメモリアーキテクチャで、DRAMセルにおいて電荷を保持している誘電体キャパシタを強誘電体とすることで不揮発性を強化している。強誘電体材料としてはPZT(ジルコン酸チタン酸鉛)などのペロブスカイト化合物や、SBZ(チタン酸バリウム・ストロンチウム)などの層状ペロブスカイト化合物が用いられている。 FeRAMのセルとしては現状、図3に示す3タイプのものがある。2T2C(2トランジスタ2キャパシタ)セルはすでに実用化されているもので、一方のキャパシタに例えば"1"というデータを記憶させた場合、もう一方のキャパシタには逆の"0"を記憶させ、読み出す場合にはBLと/BLの2つの電圧差をセンスアンプで判断し、例えば電圧差がプラスであれば"1"、マイナスであれば"0"といったように出力する
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