産総研 TODAY 2006.4 VOL.6-4水蒸気を利用して高品質のCu（In,Ga）Se2（CIGSe）の薄膜を作製する新しい手法を開発した。この手法では、欠陥の生成が抑制されるため開放電圧と短絡電流密度が共に向上した。太陽電池の理想的禁制帯幅に近い1.3eVのワイドギャップCIGSe薄膜を光吸収層とした太陽電池において、変換効率18.1%、開放電圧0.744V、短絡電流密度32.4mA/cm2、曲線因子0.752を達成できた。この新手法によって、今後CIS系太陽電池のいっそうの高性能化も期待できる。 基礎研究から環境・エネルギー問題、産業化までの幅広い視野で太陽電池研究に取り組んでいる。応用物理、薄膜、半導体工学などを専門とし、これまで太陽電池利用を見据えた酸化物半導体薄膜の研究や、多元化合物薄膜の作製と物性制御、デバイス化技術の研究に携わってきた。現在カルコパイライトCIS系太陽電池の研究に従事。特にワイドギャップCIS系材料
