二層グラフェンは万能の電子材料になれる ? | スラド サイエンスローレンス・バークレー国立研究所の Feng Wang らは、グラフェンのバンドギャップを電界により 0 meV (ミリ電子ボルト) から 250 meV まで自由に制御することに成功した。また同時に、フェルミ準位も自由に制御できることを確認したという (EurekAlert! の記事より) 。 グラフェンとは炭素原子が 2 次元に整列したシート形状をした物質で、鉛筆の芯などの炭素 (グラファイト) もこれが重なり合ってできている。「鉛筆の芯をセロテープで何度もくっつけたり剥がしたりする」という実にローテクな手法で得られるが、電子の移動度が非常に高いなどその物理的性質は大変に興味深く、ここ数年多くの注目を集めている材料である。 今までグラフェンは、非常に高い電子移動度という特質からFET (電界効果トランジスタ) への応用が期待されていたが、バンドギャップがゼロであったため「ON には出来
